La cellule de mémoire est l'élément fondamental de la mémoire d'un ordinateur. La cellule de mémoire est un circuit électronique qui stocke un bit d'information binaire et qui doit être réglé pour stocker un 1 logique (niveau de tension élevé) et réinitialisé pour stocker un 0 logique (niveau de tension bas). Sa valeur est maintenue/stockée jusqu'à ce qu'elle soit modifiée par le processus d'activation/de réinitialisation. Il est possible d'accéder à la valeur de la cellule de mémoire en la lisant.
Au cours de l'histoire de l'informatique, de nombreuses architectures de cellules de mémoire ont été utilisées, notamment la mémoire centrale et la mémoire à bulles, mais les plus courantes sont les bascules et les condensateurs.
La cellule de mémoire SRAM, static ram memory, est un type de circuit à bascule, généralement mis en œuvre à l'aide de FET. Celles-ci nécessitent une très faible puissance pour conserver la valeur stockée lorsqu'on n'y accède pas.
Un deuxième type, la DRAM est basée autour d'un condensateur. Charger et décharger ce condensateur permet de stocker un '1&apos ; ou un '0&apos ; dans la cellule. Cependant, la charge de ce condensateur s'échappe lentement et doit être rafraîchie périodiquement. En raison de ce processus de rafraîchissement, la DRAM utilise plus d'énergie, mais peut atteindre des densités de stockage plus importantes.
La cellule de mémoire est le bloc de construction fondamental de la mémoire. Elle peut être mise en œuvre à l'aide de différentes technologies, telles que les dispositifs bipolaires, MOS et autres semi-conducteurs. Elle peut également être construite à partir de matériaux magnétiques tels que des noyaux de ferrite ou des bulles magnétiques.[1] Quelle que soit la technologie de mise en œuvre utilisée, l'objectif de la cellule de mémoire binaire est toujours le même. Elle stocke un bit d'information binaire auquel on peut accéder en lisant la cellule. Elle doit être mise à 1 pour stocker un 1 et remise à 0 pour stocker un 0